半導體(tǐ)管特性圖示儀輸出電(diàn)流容量

半導體(tǐ)管特性圖示儀 型号：QT-2B

* QT-2B半導體(tǐ)管特性圖示儀可根據需要測量半導體(tǐ)二**管、三**管的低頻(pín)直流參數，**大(dà)集電(diàn)**電(diàn)流可達50A，基本滿足功率500W以下(xià)的半導體(tǐ)管的測試。
* 本儀器還附有高壓的測試裝置，可對5000V以下(xià)的半導體(tǐ)管進行擊穿電(diàn)壓及反向漏電(diàn)流測試，其測試電(diàn)流**高靈敏度達到0.5uA/度。
* 本儀器所提供的基**階梯信号還具有脈沖階梯輸出，因此可擴大(dà)測量範圍及對二次擊穿特性的測量。
* 本儀器帶階梯偏置電(diàn)壓(△VB)， -6V～+6V連續可調。特别适宜大(dà)功率VMOS管測試。
1. 集電(diàn)**電(diàn)流偏轉系數
  a)  集電(diàn)**電(diàn)流範圍(Ic)： 1μA/度～5A/度。按1、2、5進制分(fēn)21檔級，各檔誤差不大(dà)于3％。
  b)  二**管電(diàn)流範圍(ID) ：1μA/度～500μA/度。1、2、5進制分(fēn)9檔，各檔誤差不大(dà)于3％。
  c)  集電(diàn)**電(diàn)流及二**管電(diàn)流倍率×0.5，誤差不大(dà)于10％。
  d)  基**電(diàn)流或基**源電(diàn)壓0.1V/度，誤差不大(dà)于3％。
 2. 集電(diàn)**電(diàn)壓偏轉系數
  a)  集電(diàn)**電(diàn)壓範圍(Uc)： 10mV/度～50V/度。按1、2、5進制分(fēn)21檔級，各檔誤差不大(dà)于3％。
  b)  二**管電(diàn)壓範圍(UD)： 100V/度～500V/度。按1、2、5進制分(fēn)3檔級，各檔誤差不大(dà)于10％。
  c)  基**電(diàn)壓範圍(UBE)：10mV/度～1V/度按1、2、5進制分(fēn)7檔級，各檔誤差不大(dà)于3％。
 d)  基**電(diàn)流或基**源電(diàn)壓:：0.05V/度，誤差不大(dà)于3％。
 3. 基**階梯信号
  a)  階梯電(diàn)流範圍(IB)： 10uA/度～200mA/度。按1、2、5進制分(fēn)17檔級，各檔誤差不大(dà)于5％。
  b) 階梯電(diàn)壓範圍(UB)： 50mV/度～1V/度。按1、2、5進制分(fēn)5檔級，各檔誤差不大(dà)于5％。
  c) 串聯電(diàn)阻：0Ω、10KΩ、100KΩ，各檔誤差不大(dà)于10％。
d) 階梯波形：分(fēn)正常（100%）及脈沖二檔。脈沖階梯占空比調節範圍爲10～40%。
e) 每簇級數：0～10級，連續可調。
f) 階梯偏置電(diàn)壓(△VB)：-6V～+6V，連續可調。
g) 階梯作用：分(fēn)重複、關、單次三檔級。
h) 階梯輸入：分(fēn)正常、零電(diàn)流、零電(diàn)壓三檔級。
i) 階梯**性：分(fēn)正、負二檔。
 4. 集電(diàn)**掃描電(diàn)壓
  a)  輸出電(diàn)壓與檔級： 0～10V    正或負連續可調
                                 0～50V    正或負連續可調
                                 0～50V    正或負連續可調
                                 0～100V   正或負連續可調
                                 0～500V   正或負連續可調
b)  輸出電(diàn)流容量：     0～10V    50A（脈沖階梯工(gōng)作狀态時）
                     0～10V    20A（平均值）
                     0～50V    10A（平均值）
                     0～100V   5A （平均值）
                     0～500V   0.5A（平均值）
 c)  功耗限制電(diàn)阻：    0～500KΩ  按1、2、5進制分(fēn)20檔級，各檔誤差不大(dà)于10％。
 d)   整流方式：       全波
e)  輸出**性：     ＋，－
f)  集電(diàn)**容性電(diàn)流； 平衡後不超過2uA（10V檔）
g)  集電(diàn)**漏電(diàn)流；    平衡後不超過2uA（10V檔）
 5. 二**管測試裝置
a)         輸出電(diàn)壓：       0～5000V    正向連續可調
b)         輸出電(diàn)流容量：   **大(dà)爲5mA
c)         整流方式：       半波
6. 其他
a)   适配器      
          高壓測試座、三**管測試座、 功率三**管測試座
b)   重量   約30kg。
c)   外(wài)形尺寸
    300mm×408mm×520mm（W×H×D）。
d)  功耗：    非測試狀态時： 約80VA；
             **大(dà)功率時：   約300VA。
e)   輸入電(diàn)壓：   220V±10％；
f)   頻(pín)率：       50HZ±5％。
g)   示波管：     15SJ118-DC     有效工(gōng)作面8×10cm。
h)  電(diàn)磁兼容性
       傳導幹擾應符合GB/T 6833.9中(zhōng)第1章的要求。
       輻射幹擾應符合GB/T 6833.10中(zhōng)第1章的要求。
       環境應符合GB/T 6587.1中(zhōng)Ⅱ級儀器的規定，運輸試驗按2級